欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

平面六方空洞是SiC晶体中一种典型的体缺陷,其存在严重影响了晶片的质量.因此,研究和去除平面六方空洞缺陷对提高晶片质量有重要意义.使用物理气相输运法(physical vapor transport,PVT)制备了4块6H-SiC单晶,使用光学显微镜观察了平面六方空洞的分布和形貌特征,并研究其形成机制.结果表明,平面六方空洞的形成主要由籽晶背向分解造成的.籽晶背向分解存在两个必要条件:籽晶背面存在与其相接触的气孔;气孔内与籽晶背面相接触的区域比其他区域温度高.籽晶背面的TaC致密膜层能够抑制籽晶背面的分解.结合使用在籽晶背面生成致密TaC膜层和粘结固定两种措施,有效地抑制了籽晶的背面分解,得到了无平面六方空洞缺陷的SiC晶体.

参考文献

[1] 涂凡,苏小平,屠海令,张峰燚,丁国强,王思爱.VGF法GaAs单晶位错分布的数值模拟和Raman光谱研究[J].稀有金属,2010(02):237-242.
[2] Muller SG.;Hobgood HM.;Tsvetkov VF.;Brady M.;Henshall D. Jenny JR.;Malta D.;Carter CH.;Glass RC. .The status of SiC bulk growth from an industrial point of view[J].Journal of Crystal Growth,2000(1/4):325-332.
[3] Glass RC.;Tsvetkov VF.;Carter CH.;Henshall D. .SIC SEEDED CRYSTAL GROWTH[J].Physica status solidi, B. Basic research,1997(1):149-162.
[4] 朱丽娜 .第三代半导体碳化硅单晶的缺陷研究[D].中国科学院物理研究所,2006.
[5] M. Tuominen;R. YakittiOVd " b A. Velhdllell .Defect origin and development in sublimation grown SiC boules[J].Materials Science & Engineering, A. Structural Materials: Properties, Misrostructure and Processing,1999(3):228-233.
[6] H.-J.Rost;J.Dolle;J.Doerschel .Growth related distribution of secondary phase inclusions in 6H-SiC single crystals[J].Journal of Crystal Growth,2001(2/4):317-321.
[7] 胡小波,徐现刚,王继扬,韩荣江,董捷,李现祥,蒋民华.6H-SiC单晶的生长与缺陷[J].硅酸盐学报,2004(03):248-250,254.
[8] 李劼 .碳化硅单晶微管缺陷的表征及分布规律研究[D].西安电子科技大学,2009.
[9] 韩荣江,王继扬,徐现刚,胡小波,李娟,李现祥,蒋民华.微管在6H-SiC单晶生长过程中的演化[J].硅酸盐学报,2004(11):1377-1380.
[10] SANCHEZ EDWARD K.;KUHR THOMAS .Formation of Thermal Decomposition Cavities in Physical Vapor Transport of Silicon Carbide[J].Journal of Electronic Materials,2000(3):347-352.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%