在前期Ge-Sb-Te基相变存储材料Ge2 Sb2 Te5靶材和薄膜制备研究的基础上,分别选取掺杂5.6％(原子分数)的Sn,Bi作为添加剂对其进行掺杂改性.采用热压法制备出高主相含量、高致密度六方结构Ge2Sb2Te5基靶材.常温下沉积的薄膜为非晶态,经150 ～ 350℃退火处理,薄膜相结构经历了由非晶态到立方相再到六方相的相转变过程.掺杂5.6％(原子分数)的Sn在入射光波长为500 nm时的反射率对比度相比未掺杂薄膜提高了14％,该薄膜潜在的光存储性能更好.掺杂Sn,Bi后结晶态与非晶态间的电阻率差异度有所增加.
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