热场模拟在物理气相输运法(PVT法)制备SiC单晶工艺的改进中起着重要的作用.实验中发现,SiC晶体生长表面可能会起伏不平,导致生长的晶体质量下降.经分析可知,籽晶固定过程中籽晶背面形成的气孔是造成晶体生长表面起伏不平的主要因素.热场模拟发现,在籽晶背面有气孔处,籽晶生长面温度较高.气孔宽度、籽晶厚度及粘结剂厚度影响籽晶表面气孔中心与气孔边缘的温差.减小气孔、增厚籽晶可有效减小籽晶表面气孔中心与气孔边缘的温差,是改善晶体生长面质量的两个有效途径.
参考文献
| [1] | Willander M;Friesel M;Wahab QU;Straumal B .Silicon carbide and diamond for high temperature device applications[J].Journal of Materials Science. Materials in Electronics,2006(1):1-25. |
| [2] | Glass RC.;Tsvetkov VF.;Carter CH.;Henshall D. .SIC SEEDED CRYSTAL GROWTH[J].Physica status solidi, B. Basic research,1997(1):149-162. |
| [3] | Pons M;Blanquet E;Dedulle JM;Madar R;Bernard C;ECOLE NATL SUPER ELECTROCHIM & ELECTROME GRENOBLE INST NATL POLYTECH GRENOBLE UMR CNRS 5628 F-38402 ST MARTIN DHER FRANCE. .Different macroscopic approaches to the modelling of the sublimation growth of SiC single crystals[J].Materials Science & Engineering, B. Solid-State Materials for Advanced Technology,1997(1/3):308-312. |
| [4] | Selder M.;Makarov Y.;Durst F.;Wellmann P.;Straubinger T. Hofmann D.;Karpov S.;Ramm M.;Kadinski L. .Global numerical simulation of heat and mass transfer for SiC bulk crystal growth by PVT[J].Journal of Crystal Growth,2000(1/4):333-338. |
| [5] | 张群社 .PVT法生长SiC晶体的热系统分析[D].西安理工大学,2007. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%