电化学原子层外延法制备碲化铋薄膜

应用化学, 2005, 22(11): 1167-1171. doi: 10.3969/j.issn.1000-0518.2005.11.002

电化学原子层外延法制备碲化铋薄膜

朱文 ^1, , 杨君友 ^2, , 郜鲜辉 ^3, , 侯杰 ^4, , 鲍思前 ^5, , 樊希安 ^6,

1.华中科技大学模具技术国家重点实验室,武汉,430074

2.华中科技大学模具技术国家重点实验室,武汉,430074

3.华中科技大学模具技术国家重点实验室,武汉,430074

4.华中科技大学模具技术国家重点实验室,武汉,430074

5.华中科技大学模具技术国家重点实验室,武汉,430074

6.华中科技大学模具技术国家重点实验室,武汉,430074

基金项目: 华中科技大学校科研和教改项目国家自然科学基金(50401008) 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2004CCA03200)

关键词：电化学原子层外延 , 欠电位 , 碲化铋 , 热电薄膜

Preparation of Bismuth Telluride Thin Film by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy

研究了冷压银衬底上铋和碲的欠电位沉积薄层电化学行为.分析了最初铋欠电位沉积在碲覆盖的冷压银表面和碲欠电位沉积在铋覆盖的冷压银表面的欠电位转移伏安特性.结果证实,这种转移特性符合欠电位动力学机制.采用一个自动式电化学薄层流沉积系统,通过交替沉积碲元素和铋元素制备了碲化铋薄膜.XRD测试显示,沉积物是Bi2Te3.EDX定量分析给出铋与碲的元素化学计量比是2:3,与XRD结果一致.沉积物电子探针显微分析显示一个网格结构,可能与冷压银衬底的表面缺陷及银和Bi2Te3的晶格错配有关.

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