以多孔氧化铝膜为模板,电化学沉积出Zn纳米线,再通过高温氧化得到ZnO纳米线阵列.通过改变制备多孔氧化铝模板的工艺参数来改变模板纳米孔径,进而改变ZnO纳米线的直径,得到不同形态的ZnO纳米线阵列.应用X射线衍射仪、透射电子显微镜测试技术表征了ZnO纳米线的结构与形貌.结果发现,X射线衍射时会出现随ZnO纳米线直径增大衍射峰增多和增强的现象.采用荧光光谱仪测试样品的光致发光性能,通过Gaussian原理对谱峰的拟合分析了ZnO纳米线形态对其光致发光光谱的影响.结果表明,随着纳米线直径从30 nm至60 nm依次增大.其结晶性和化学计量比逐渐变好.近紫外区和蓝光区的发射峰随着纳米线直径的增大而蓝移,而纳米线直径为60 nm的样品则出现随直径增大而红移的现象.结果可见,直径在55～60 nm间的某点将是ZnO纳米线的结构和光致发光性能变化的临界点.
参考文献
| [1] | Hu J,Odom T W,Lieber C M.Acc Chem Res[J],1999,32:435 |
| [2] | Frank S,Poncharai P,Wang Z L,de Heer W A.Science[J],1998,280:1 744 |
| [3] | LI Dan-Zhen(李旦振),CHEN Yi-Lin(陈亦琳),LIN Xi(林熙),WANG Xu-Xu(王绪绪),FU Xian-Zhi(付贤智).Chinese J Inorg Chem(无机化学学报)[J],2002,18:1 229 |
| [4] | Mou C M,Li Y H,Liu Y S,Shi G.J Appl Phys[J],1998,83:4 389 |
| [5] | Li Y,Meng G W,Zhang L D,Phillipp F.Appl Phys Lett[J],2000,76:2 011 |
| [6] | Masuda H,Fukuda K.Scienee[J],1995,268:1 446 |
| [7] | Aral K I,Kang H W,Ishiyama K,et al.Trans Magn[J],1990,26(5):1 635 |
| [8] | Zhu Z,Koyama S,Shen M Y,Yao T,Goto T.Appl Phys Lett[J],1997,70:2 230 |
| [9] | Li G H,Zhang Y,Wu Y C,Zhang L D.J Phys Matter[J],2003,15:8 663 |
| [10] | Goto T,Chen F Y,Yao T.Appl Phys Lett[J],1998,73:1 038 |
| [11] | DUAN Heng-Yong(段恒勇).J Heilong]iang Univ Tech Nat Sci(黑龙江大学自然科学学报)[J],2004,21:87 |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%