碲欠电位沉积于金衬底上碲离子浓度和扫描速率对欠电位的影响

应用化学, 2008, 25(6): 633-636. doi: 10.3969/j.issn.1000-0518.2008.06.002

碲欠电位沉积于金衬底上碲离子浓度和扫描速率对欠电位的影响

朱文 ^1, , 杨君友 ^2, , 周东祥 ^3, , 肖承京 ^4, , 段兴凯 ^5,

1.华中科技大学,模具技术国家重点实验室,武汉,430074

2.华中科技大学,模具技术国家重点实验室,武汉,430074

3.华中科技大学,电子科学与技术系,武汉,430074

4.华中科技大学,模具技术国家重点实验室,武汉,430074

5.华中科技大学,模具技术国家重点实验室,武汉,430074

基金项目: 教育部跨世纪优秀人才培养计划(NCET-06-0644) 国家自然科学基金(50401008) 中国博士后科学基金(20060390843) 教育部科技创新工程重大培育项目(707044) 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2004CCA03200)

关键词：电化学原子层外延 , 欠电位沉积 , 碲 , 热电材料

Effects of Concentration and Scan Rate on Te Underpotential Deposition on Au Substrate

研究了碲欠电位沉积于金衬底表面体系中碲离子浓度和扫描速率等关键实验参数对碲欠电位沉积机制及其伏安特性的影响.结果表明,碲沉积在金表面的伏安特性依赖于使用的碲离子浓度,金属离子浓度的变化可能会影响到欠电位沉积过程的动力学机制.循环伏安实验结果表明,碲欠电位峰的电流与扫描速率的2/3次方呈线性关系.证实碲欠电位沉积于金衬底上遵循的是二维形核和生长机制.

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碲欠电位沉积于金衬底上碲离子浓度和扫描速率对欠电位的影响

Effects of Concentration and Scan Rate on Te Underpotential Deposition on Au Substrate

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