全铌隧道结 dc SQUID的制备和研究

低温物理学报 , 1999, 21(1): 1-4. doi: 10.3969/j.issn.1000-3258.1999.01.001

全铌隧道结 dc SQUID的制备和研究

杜寰 ^1, , 赵士平 ^2, , 王瑞峰 ^3, , 徐凤枝 ^4, , 王晶 ^5, , 陈赓华 ^6, , 杨乾声 ^7,

1.中科院物理研究所,凝聚态物理中心,北京,100080

2.中科院物理研究所,凝聚态物理中心,北京,100080

3.中科院物理研究所,凝聚态物理中心,北京,100080

4.中科院物理研究所,凝聚态物理中心,北京,100080

5.中科院物理研究所,凝聚态物理中心,北京,100080

6.中科院物理研究所,凝聚态物理中心,北京,100080

7.中科院物理研究所,凝聚态物理中心,北京,100080

INVESTIGATION AND FABRICATION OF ALL-NIOBIUM TUNNEL JUNCTION dc SQUID

本文用磁控溅射方法研究了全铌隧道结 dc SQUID 的制备.根据铌结的Stewart-McCumber参量βc选择确定结的并联电阻,消除了结的回滞,并联电阻后的I-V曲线很好的符合RSJ模型.为了获得大的磁通电压调制幅度,设计了较小的SQUID环孔, 环孔电感为L～25pH.由此制备的SQUID 具有传输函数((e)v/(e)φe)Ib,其本征能量分辨率达～24h.

参考文献

[1]	R C Jaklevic;J Lambe;A H Silver;J E Mercereau .[J].Physical Review Letters,1964,12:274.
[2]	D J Adelerhof;J Kawai;G Vehara;H Kado .[J].Applied Physics Letters,1994,65:20.
[3]	H Du;S P Zhao;G H Chen;R F Wang,F Z Xu,Q S Yang .[J].Chin J Low Temp Phys,1995,17:563.
[4]	H Du;S P Zhao;R F Wang;F Z Xu,G H Chen,Q S Yang.[J].Chin J Low Temp Phys
[5]	C D Tesche;J Clarke .[J].Journal of Low Temperature Physics,1977,29:301.
[6]	J M Jaycox;M B Ketchen .[J].IEEE Transactions on Magnetics,1981,17:400.
[7]	Likharev;Semennov .[J].JETP Letters,1972,15:442.

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