Ga掺杂对La0.67Ca0.33MnO3磁电阻的提高

1.中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥,230026;浙江丽水师专物理系,丽水,323000

2.中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥,230026

ENHANCEMENT OF MAGNETORESISTANCE BY Ga DOPPING IN La0.67Ca0.33MnO3

本文研究了Ga部分替代Mn位对巨磁阻材料La0.67Ca0.33MnO3的磁性和输运性质的影响.实验结果表明Ga掺杂破坏了双交换作用,使电阻率上升而磁有序转变推移到低温.但是,Ga掺杂使磁电阻效应显著提高,证明Mn位元素替代可能是提高CMR的一种有效途径.

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