在多晶Al2O3衬底上化学气相沉积MgB2超导薄膜

低温物理学报 , 2002, 24(3): 173-178. doi: 10.3969/j.issn.1000-3258.2002.03.003

在多晶Al2O3衬底上化学气相沉积MgB2超导薄膜

张正平 ^1, , 王殿生 ^2, , 傅兴华 ^3, , 杨健 ^4,

1.浙江大学信息与电子科学系,杭州,310027;贵州大学物理与电子科学系,贵阳,550025

2.石油大学(华东)应用物理系,山东东营,257061;贵州大学物理与电子科学系,贵阳,550025

3.贵州大学物理与电子科学系,贵阳,550025

4.贵州大学物理与电子科学系,贵阳,550025

基金项目: 国家自然科学基金(60176019) 贵州省省长基金贵州省自然科学基金(993033)

PREPARATION OF SUPERCONDUTING MgB2 FILMS ON Al2O3 POLYCRYSTALLINE SUBSTRATES BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

报道了制备MgB2超导薄膜的一种新方法和测量结果.MgB2超导薄膜的制备采用的是两步异位退火方法,但与现有报道的方法不同的是,制备硼(B)先驱膜采用的是化学气相沉积方法,在460℃温度下热分解乙硼烷(B2H6)沉积的,然后镁(Mg)蒸气中分别在730℃、780℃和830℃条件下退火,生成MgB2超导薄膜.扫描电子显微镜观察表明制备薄膜是多晶的,MgB2晶粒小于2μm.X衍射分析发现所生长的薄膜是随机取向的.800℃条件下退火生成的MgB2超导薄膜起始转变温度和零电阻温度分别达到35K和24K.结果表明,采用B2H6热分解化学气相沉积B先驱膜的方法在优化的沉积条件和退火条件下可以制备高质量的MgB2超导薄膜.我们这种化学气相沉积MgB2超导薄膜方法在大面积的MgB2超导薄膜制备方面较脉冲激光沉积方法具有优势,并且与现有的半导体工艺技术相兼容,有利用实现MgB2超导薄膜在电子器件方面的应用.

参考文献

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