基于超大磁阻(CMR)材料在绝缘体-金属转变(I-M)点附近的巨大电阻变化,本文研究了La位Gd掺杂对Lao.7xGdxSr0.3MnO3(x=0.20、0.30、0.40、0.50)电阻温度系数(TCR)的影响.实验结果表明:Gd掺杂将引起电阻率曲线的急剧变化,导致出现大的TCR;而且随Gd掺杂的增加,TCR在x=0.30出现峰值,然后随掺杂量增加逐步降低.大的代R行为将成为新型的红外成像材料.
参考文献
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