Bi2223/Ag超导带背景场损耗和磁场响应特性研究

低温物理学报 , 2003, 25(z1): 97-101. doi: 10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z1.021

Bi2223/Ag超导带背景场损耗和磁场响应特性研究

李景会 ^1, , 王金星 ^2, , 吴春俐 ^3, , 何砚发 ^4,

1.东北大学物理系,沈阳,110004;沈阳东软数字医疗系统有限公司,沈阳,110003

2.东北大学物理系,沈阳,110004

3.东北大学信息工程学院,沈阳,110004

4.东北大学物理系,沈阳,110004

关键词：瓦特计技术 , Bi2223/Ag , 背景场损耗

MAGNETIC FIELD LOSS AND PROPERTIES OF MAGNETIC RESPONSE OF Bi2223/Ag TAPE

采用改进的瓦特计技术,研究了在77K和低场范围内单芯和多芯Bi2223/Ag超导带的背景场损耗(包括表面损耗、磁滞损耗和耦合损耗)和在交变外磁场下的穿透电压与磁场响应特性.最小磁场小于1×10-4T.单芯带材和大块超导体的损耗一致,在整个磁场范围内损耗和磁场符合指数关系,Q∝Hn:当HHp时, n≈1.1,损耗主要是磁滞损耗.从单芯带材的损耗曲线我们得到了Bi2223相的Hc1≈6×10-4T.对于多芯带材而言,损耗由磁滞损耗和耦合损耗组成,耦合损耗起主要作用,损耗和磁场符合指数关系,Q∝Hn:当HHp时, n≈1.7, 损耗包括磁滞损耗和耦合损耗,耦合损耗占主要部分.在磁场小于1×10-4T的低场下,单芯和多芯带材损耗研究结果目前还未见报道.研究了超导体中穿透电压和外磁场的响应关系,给出了穿透电压和外磁场的关系曲线,结合超导体中的磁化强度变化过程对曲线给出了合理的解释.

参考文献

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