MgO衬底NbN/AlN/NbN多层膜的制备

低温物理学报 , 2003, 25(z1): 272-275. doi: 10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z1.060

MgO衬底NbN/AlN/NbN多层膜的制备

施建荣 ^1, , 康琳 ^2, , 蔡卫星 ^3, , 陈亚军 ^4, , 吉争鸣 ^5, , 吴培亨 ^6,

1.南京大学超导电子学实验室,南京,210093

2.南京大学超导电子学实验室,南京,210093

3.南京大学超导电子学实验室,南京,210093

4.南京大学超导电子学实验室,南京,210093

5.南京大学超导电子学实验室,南京,210093

6.南京大学超导电子学实验室,南京,210093

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G19990646) 国家高技术研究发展计划(863计划)

关键词： NbN , AlN , NbN/AlN/NbN , 磁控溅射 , 射频磁控溅射

FABRICATION OF NbN/AlN/NbN TRILAYERS ON MgO SUBSTRATES

本文主要讨论磁控溅射设备制备的NbN/AlN/NbN三层结构的技术工艺,为制备All-NbN的 NbN/AlN/NbN SIS 隧道结作准备.我们在室温下利用直流磁控溅射工艺制备了单晶NbN薄膜,并对其超导电性做了初步的研究;又利用射频磁控溅射工艺制备了取向较好的AlN薄膜.我们利用磁控溅射方法制作NbN/AlN/NbN多层薄膜,然后对制备SIS隧道结进行了一些探索.

参考文献

[1]	V. Fuflyigin;E. Salley;A. Osinsky .Pyroelectric properties of AlN[J].Applied physics letters,2000(19):3075-3077.
[2]	Z Wang;A etc.IEEE Transactions On applied superconductivity[J].IEEE Transactions on Applied Superconductivity,1995,2322
[3]	Zhen Wang;A K Y U;B K J .[J].Journal of Applied Physiology,1996(79):7837.
[4]	X射线光电子能谱分析[M].北京:科学出版社,1988
[5]	W X Cai;L Kang;P H Wu etc.Supercond Sci[J].Superconductor Science and Technology,2002(15):1781.
[6]	Zhen Wang;Hirotaka Terai;Akira Kawakami .Interface and tunneling barrier heights of NbN/AlN/NbN tunnel junctions[J].Applied physics letters,1999(5):701-703.

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