高温超导滤波器与低噪声放大器(LNA)组成的射频接收机前端设备具有高选择性、高灵敏度和极低的噪声,因而展现出广阔的应用前景.本文研究了场效应器件的低温物理特性和电学参数,研制了一种适用于高温超导微波接收系统的低温低噪声放大器,在60K工作温度下,具有很好的噪声特性.包括高电子迁移率场效应晶体管在内的元件参数均在60K温度下进行了实际测量.放大器的各项指标与设计值吻合,工作频段为800MHz~850MHz,增益大于18dB,输入输出驻波比小于1.2,噪声系数小于0.22dB.
参考文献
[1] | 沈致远.高温超导微波电路[M].北京:国防工业出版社,2000 |
[2] | Matthias Klauda;Tobias Kaesser;Bernd Mayer .Superconductors and Cryogenics for Future Communication Systems[J].IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,2000(7):1227-1239. |
[3] | Júlio Arlindo Pinto Azevedo;etal.Design of a Low Noise Amplifier for CDMA Transceivers at 900MHz in CMOS 0.35 um[A].,2003 |
[4] | Yang C.C.;Nelson B. .A cryogenically-cooled wide-band HEMT MMIC low-noise amplifier[J].IEEE Microwave and Guided Wave Letters,1992(2):58-60. |
[5] | Cheng Chih Yang et al.Cryogenic Characteristics of Wide-Band Pseudomorphic HEMT MMIC Low-Noise Amplifier[J].IEEE Transactions on Microwave theory and Techniques,1993,41:993. |
[6] | 高葆新.微波集成电路[M].北京:国防工业出版社,1995:163. |
[7] | 刘恩科.半导体物理学[M].北京:电子工业出版社,2003:123. |
[8] | 刘刚.半导体器件[M].北京:电子工业出版社,2000:324. |
[9] | Pospiezalski M.W.;Weinreb S. .FETs and HEMTs at cryogenic temperatures-their properties and use in low-noise amplifiers[J].IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,1988(3):552-560. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%