本征Josephson单结的电流-电压特性

低温物理学报 , 2005, 27(z1): 706-710. doi: 10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.062

本征Josephson单结的电流-电压特性

王智河 ^1, , 聂阳 ^2, , 白忠 ^3, , 李配军 ^4, , 邱里 ^5, , 丁世英 ^6,

1.南京大学物理系固体微结构国家重点实验室,南京,210093

2.南京大学物理系固体微结构国家重点实验室,南京,210093

3.南京大学物理系固体微结构国家重点实验室,南京,210093

4.南京大学物理系固体微结构国家重点实验室,南京,210093

5.南京大学物理系固体微结构国家重点实验室,南京,210093

6.南京大学物理系固体微结构国家重点实验室,南京,210093

基金项目: 中国科学院资助项目(10174033) 科技部资助项目(G1999-0646) 南京大学校科研和教改项目

关键词：高温超导体 , 本征结

VOLTAGE-CURRENT CHARACTERISTICS OF INTRINSIC JOSEPHSON SINGLE JUNCTION

采用光刻蚀和Ar离子刻蚀技术成功地在Bi-2212单晶表面制备出台阶型本征Josephson单个结,并在5～65K范围内用四引线法测量了该结零场下的I～V特征曲线.结果表明,临界电流几乎保持不变,但返回电流随温度增加而增大;与此同时,Mccumber参数βc随着温度增加而减小.临界温度附近,跳跃电压ΔV明显偏离BCS理论.

参考文献

[1]	R Kleiner;F Steinmeyer;G Kunkel;P Muller .[J].Physical Review Letters,1992,68:2394.
[2]	P H Wu;L X You;J Chen;Z M Ji,W W Xu,L Kang,C T Lin,B Liang .[J].Physica C,2004,405:65.
[3]	朱晓波,赵士平,陈赓华,解思深,杨乾声.Fabrication of Intrinsic Josephson Junctions on Bi2Sr2CaCu2O8+δ Single Crystals with Reproducible Surface Junctions[J].中国物理快报(英文版),2002(12):1859-1862.
[4]	M -H Bae;H -J Lee .[J].Physical Review B,2004,70:052506.
[5]	聂阳,王智河,LEE HU-JONG.Bi-2212单晶本征Josephson结的制备及其非线性行为[J].低温物理学报,2003(z2):584-588.
[6]	K Schlenga;R Kleiner;G Hechtfischer;M Mle,S Schmitt,Paul Müller,Ch Helm,Ch Preis,F Forsthofer,J Keller,H L Johnson M Veith,E Steinbei .[J].Physical Review B,1998,57:14518.
[7]	P G de Gennes .[J].Reviews of Modern Physics,1966,36:225.

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