2英寸双面TI2212高温超导薄膜的制备与研究

低温物理学报 , 2008, 30(1): 66-69. doi: 10.3969/j.issn.1000-3258.2008.01.014

2英寸双面TI2212高温超导薄膜的制备与研究

潘军 ^1, , 阳运国 ^2, , 陈莺飞 ^3, , 徐小平 ^4, , 田海燕 ^5, , 林德华 ^6, , 郑东宁 ^7,

1.重庆大学数理学院,加底达(美)-重庆大学超导研究所,重庆,400044;中科院物理研究所超导国家实验室,北京,100080

2.重庆大学数理学院,加底达(美)-重庆大学超导研究所,重庆,400044;中科院物理研究所超导国家实验室,北京,100080

3.中科院物理研究所超导国家实验室,北京,100080

4.中科院物理研究所超导国家实验室,北京,100080

5.中科院物理研究所超导国家实验室,北京,100080

6.重庆大学数理学院,加底达(美)-重庆大学超导研究所,重庆,400044

7.中科院物理研究所超导国家实验室,北京,100080

关键词： TI2212薄膜 , PLD , FWHM

THE PREPARATION AND STUDY OF 2 INCH DOUBLE-SIDED HIGH TEMPERATURE SUPERCONDUCTING TI2212 THIN FILM

在c取向的LAO基片上,采用两步法制备TI2212高温超导薄膜.首先,利用PLD在基片上沉积无Tl前驱膜,然后前驱膜在流动Ar气氛中利用坩埚技术在720～740℃温度下用Tl2223铊源外延生长成2英寸双面TI2212高温超导薄膜.实验结果表明:2英寸双面TI2212薄膜具有良好的c轴取向,并有明显的层状生长结构,有少量杂相晶粒但无裂纹;两面薄膜表面均匀光亮且呈深褐色.用四引线法测量的最佳双面薄膜的超导零电阻温度分别为106.2K和108.5K;在77K温度下,超导临界电流扫描测量仪得到优质薄膜的临界电流密度在1.0×106 A/cm2到4.8×106 A/cm2范围内;薄膜的微波表面电阻由一个介质谐振器在77K温度和10GHz频率下测量薄膜中心部分的Q值得到,其值小于0.5mΩ.

参考文献

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