TFA-MOD法YBa2Cu3O7-δ超导薄膜的交流磁化率研究

低温物理学报 , 2008, 30(3): 194-198. doi: 10.3969/j.issn.1000-3258.2008.03.002

TFA-MOD法YBa2Cu3O7-δ超导薄膜的交流磁化率研究

王晓祺 ^1, , 高波 ^2, , 蔡传兵 ^3, , 刘志勇 ^4, , 鲁玉明 ^5, , 刘金磊 ^6, , 潘成远 ^7, , 应利良 ^8,

1.上海大学物理系,上海,200444

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8.上海大学物理系,上海,200444

基金项目: 上海市浦江人才计划(J14048) 教育部留学回国人员科研启动基金上海市科技攻关项目(055211003) 中德合作科研项目(PPP)资助的课题上海市重点学科建设项目(TO104)

关键词：超导薄膜 , TFA-MOD , 交流磁化率 , 激活能

AC SUSCEPTIBILITY STUDY OF YBa2Cu3O7-δ THIN FILMS PREPARED BY TFA-MOD METHOD

通过三氟乙酸盐-金属有机沉积(TFA-MOD)方法在LaAlO3单晶基片上制备了YBa2Cu3O7-δ(YBCO)高温超导薄膜,并测定在垂直于a-b面的外加交变磁场下薄膜样品的交流磁化率随温度的变化关系,在频率543.2 Hz、振幅1 V条件下,样品的超导转变发生在91 K附近.交流磁化率虚部峰值温度Tp随着磁场振幅的变大而向低温区移动,随着频率的增大而向高温区移动,这些现象与磁通蠕动模型相一致,峰值温度TP与外交变磁场的振幅Hac满足Hcaε(1-Tp/Tct)n的关系,其n～1.55;而与频率之间满足1/Tp与lnf的线性关系,可能是由于TAF-MOD薄膜样品中较多孔洞和非位错缺陷的出现使其偏离一般物理气相沉积薄膜样品具有的SNS型连接(n～2).根据频率f与温度T的Arrhenius公式以及二维简约的Bean模型,得到当前薄膜样品的激活能U与电流密度J、以及J与温度T的标度关系.

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