Nd1.85Ce0.15CuO4±δ单晶ab面与c方向电阻率的比较

低温物理学报 , 2008, 30(4): 283-287. doi: 10.3969/j.issn.1000-3258.2008.04.002

Nd1.85Ce0.15CuO4±δ单晶ab面与c方向电阻率的比较

王建彬 ^1, , 杨宏顺 ^2, , 陈旭东 ^3, , 刘剑 ^4, , 孙成海 ^5, , 高慧贤 ^6, , 成路 ^7, , 曹烈兆 ^8,

1.中国科学技术大学结构分析开放实验室,,合肥,230026;中国科学技术大学物理系,合肥,230026

2.中国科学技术大学物理系,合肥,230026

3.中国科学技术大学物理系,合肥,230026

4.中国科学技术大学物理系,合肥,230026

5.中国科学技术大学物理系,合肥,230026

6.中国科学技术大学物理系,合肥,230026

7.中国科学技术大学物理系,合肥,230026

8.中国科学技术大学结构分析开放实验室,,合肥,230026;中国科学技术大学物理系,合肥,230026

基金项目: 国家自然科学基金(10374082)

关键词：电阻率 , 双载流子 , 隧穿几率

COMPARISONS OF IN-PLANE AND OUT-OF-PLANE RESISTIVITIES OF Nd1.85Ce0.15CuO4±δ SINGLE CRYSTAL

本文通过对Nd1.85Ce0.15CuO4±δ单晶ab面(ρab)和c方向电阻率(ρc)的测量,发现未经过氮气退火的样品的ρc与温度成线性依赖关系,但是同一个样品经过氮气退火后的ρc中不仅有一次方的温度依赖关系还有二次方的.这说明样品经过氮气退火后,电子与空穴两种载流子共同参与导电.样品在退火处理前的各向异性比(ρc-ρc0)/(ρab-ρab0)存在强的温度依赖关系,这是由于ρc与温度成线性依赖关系,然而ρab不仅有一次方的温度依赖关系还有二次方的.样品经过退火处理后的各向异性比存在弱的温度依赖赖关系,这是由于ρc与ρab中都同时有一次方和二次方的温度依赖关系.我们用电子和空穴沿c方向有不同的隧穿几率来解释ρc和(ρc-ρc0)/(ρab-ρab0).

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