CVD金刚石薄膜的掺硼研究

机械工程材料, 2002, 26(1): 16-28. doi: 10.3969/j.issn.1000-3738.2002.01.004

CVD金刚石薄膜的掺硼研究

杨小倩 ^1, , 胡晓君 ^2, , 沈荷生 ^3, , 张志明 ^4, , 李荣斌 ^5, , 何贤昶 ^6,

1.上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海,200030

2.上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海,200030

3.上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海,200030

4.上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海,200030

5.上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海,200030

6.上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海,200030

基金项目: 国家自然科学基金(50082005)

关键词： CVD金刚石薄膜 , 掺杂 , 电学性能

Boron Doping in CVD Diamond Films

采用固体三氧化二硼,在单晶硅(100)衬底上用微波CVD法生长金刚石薄膜和进行p型掺杂,对不同掺杂碳源浓度下CVD金刚石薄膜的掺杂和生长行为、薄膜表面形貌、薄膜的电性能等进行了研究.结果表明,硼确实已掺入金刚石膜中;在SEM下观察到硼掺杂金刚石膜结构致密没有孔洞;用Ti和Ag分别在掺杂金刚石薄膜表面制备电极,测试了在不同温度下电流随温度的变化.

参考文献

[1]	Stockel R.;Rohmfeld S.;Ristein J.;Hundhausen M.;Ley L.;Janischowsky K. .GROWTH OF DIAMOND ON SILICON DURING THE BIAS PRETREATMENT IN CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF POLYCRYSTALLINE DIAMOND FILMS[J].Journal of Applied Physics,1996(2):768-775.
[2]	廖克俊,王万录,张振刚,吴彬.热灯丝CVD金刚石膜硼掺杂效应研究[J].物理学报,1996(10):1771-1776.
[3]	Wilks J;Wilks E.Properties and Application of Diamond[M].Oxford:Butterworth-Heinemann,1991:67.
[4]	Kumar A.;Kapat JS.;Mangiaracina A.;Catletge A.;Vohra Y.;You Q. .EVALUATION OF BUFFER LAYERS FOR HOT FILAMENT CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DIAMOND FILMS ON SILICON SUBSTRATES[J].Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films,1997(0):209-214.
[5]	黄昆;韩汝琦.半导体物理基础[M].北京:科学出版社,1979:207.

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