碳化硅发热元件失效分析

机械工程材料, 2002, 26(6): 37-39. doi: 10.3969/j.issn.1000-3738.2002.06.012

碳化硅发热元件失效分析

吕振林 ^1, , 李世斌 ^2, , 高积强 ^3, , 金志浩 ^4, , 李贺军 ^5,

1.西北工业大学材料科学与工程学院,陕西西安710072;西安理工大学材料科学与工程学院,陕西西安710048

2.西安交通大学材料科学与工程学院,陕西西安710049

3.西安交通大学材料科学与工程学院,陕西西安710049

4.西安交通大学材料科学与工程学院,陕西西安710049

5.西北工业大学材料科学与工程学院,陕西西安710072

基金项目: 国家自然科学基金(59772013)

关键词：碳化硅 , 发热元件 , 失效分析

Failure Analysis of Silicon Carbide Heating Element

对国产炉用碳化硅发热元件在1 600℃空气中的高温失效行为进行了研究.结果表明:在900℃以下随温度升高,碳化硅发热元件电阻缓慢减小,超过900℃后随温度升高电阻增加较快;1 600℃时随保温时间的增加,碳化硅发热元件的电阻缓慢增加,250min后,电阻急剧增加,直至发热元件断裂.失效表面分析表明,碳化硅发热元件表面以生成气相产物为主,断口处以生成玻璃相为主.

参考文献

[1]	徐润泽.粉末冶金电炉及设计[M].长沙:中南工业大学出版社,1990:94.
[2]	角健藏.欧州にぉける炭化珪素凳熱体の現状[J].鋳鍛造と熱處理,1984(09):53-54.
[3]	高橋正吉.炭化けぃ素の凳熱体と横造材[J].鋳鍛造と熱處理,1990(09):49-54.

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