辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜的研究

1.宝山钢铁股份有限公司技术中心,上海,201900

2.宝山钢铁股份有限公司技术中心,上海,201900

3.上海维安新材料研究中心有限公司,上海,200082

4.上海维安新材料研究中心有限公司,上海,200082

5.上海维安新材料研究中心有限公司,上海,200082

6.上海维安新材料研究中心有限公司,上海,200082

Study on analysis of doped hydrogenated nano crystalling silicon film by glow discharge spectrometry

介绍了利用辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜:通过优化辉光光源激发参数、计算标准样品的溅射率,建立了掺杂纳米硅薄膜的定量表面分析方法.方法应用于实际掺杂纳米硅薄膜样品的分析,并将分析深度剖析结果与表面形貌仪的结果进行了对照.实验结果表明,本分析方法快速、准确,具有实际应用价值.

[1]	何宇亮;刘湘娜.Study of Nano-crystalline Silicon Films[J].中国科学A辑,1992(09):995.
[2]	刘明;余明亮等.纳米硅二极管的电输运特性[J].电子学报,1997,25:62.
[3]	Notzel R. .SELF-ORGANIZED GROWTH OF QUANTUM-DOT STRUCTURES [Review][J].Semiconductor Science and Technology,1996(10):1365-1379.
[4]	Boering D W .[J].TsuR Phys Rew,1995,B51:13337.
[5]	苏永选,孙大海,王小如,杨(蟛)原.辉光放电质谱研究与应用新进展[J].分析测试学报,1999(03):82.

上一张下一张

计量

作者相关

文章评分