以HF挥发除去基体后,电感耦合等离子体光谱法(ICP-AES)对金属硅中Fe,Al,Ti,Ca,Cu,As,Pb等23个可能共存的杂质元素同时定量测定,并用差减法计算出基体元素硅的含量,只需一次测定即能实现金属硅样品的全分析.试验了共存元素间的干扰影响情况,优选了元素分析谱线和仪器工作参数,运用同步背景校正法、K系数法来消除共存元素间干扰和试液雾化进样的物理化学因素影响.方法简便快捷、易于操作掌握,测定回收率、精密度、检出限均取得了满意结果.
参考文献
| [1] | 杨万彪,傅明,陈新焕,胡宇东,袁智能.ICP-AES法测定工业硅中10种杂质元素[J].冶金分析,2003(01):9-11. |
| [2] | GB/T 14849-1993.工业硅化学分析方法铁、铝、钙含量的测定[S]. |
| [3] | R K Winge;V A Fassle;V J Peterson;M A Floyd.电感耦合全等离子体发射光谱图册[M].北京:中国光学学会光谱学会,1986 |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%