MOVPE生长AlAs/GaAs Bragg反射膜

人工晶体学报, 1998, 27(1): 60-64. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.1998.01.013

MOVPE生长AlAs/GaAs Bragg反射膜

黄根生 ^1, , 王成新 ^2, , 黄柏标 ^3, , 崔得良 ^4, , 高善民 ^5, , 秦晓燕 ^6, , 于淑琴 ^7,

1.中国科学院上海技术物理研究所国家红外物理实验室半导体薄膜材料研究中心,上海,200083

2.山东大学晶体材料研究所,济南,250100

3.山东大学晶体材料研究所,济南,250100

4.山东大学晶体材料研究所,济南,250100

5.山东大学晶体材料研究所,济南,250100

6.山东大学晶体材料研究所,济南,250100

7.山东大学晶体材料研究所,济南,250100

基金项目: 山东大学校科研和教改项目

关键词： AlAs/GaAs反射膜 , 反射率 , 导纳矩阵法 , 金属有机化学气相沉积

MOVPE Growth of AlAs/GaAs Bragg Reflectors

采用常压金属有机物气相沉积法生长AlAs/GaAs周期性反射膜,并利用双晶X射线衍射、扫描电子显微镜和记录式分光光度计等分析手段,对材料结构及光学性质进行了分析.实验结果表明,在780℃连续生长的薄膜结构和晶体质量都很好,但是反射率低;通过模拟计算,连续生长存在渐变层,而渐变层大大降低了反射率;在同样生长条件下间断生长得到较高反射率的薄膜材料.

参考文献

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MOVPE Growth of AlAs/GaAs Bragg Reflectors

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