离心倾液法与初晶Si的生长

1.上海交通大学材料科学与工程学院,上海,200030

2.上海交通大学材料科学与工程学院,上海,200030

3.大连理工大学铸造工程研究中心,大连,116024

基金项目: 国家自然科学基金(59471051)

Decantation during Centrifugal Casting and the Growth of Primarg Silicon

本文首次提出了一种研究晶体生长的新方法--离心倾液法.用该方法获得了过共晶Al-Si合金初晶的Si的生长形貌,发现了初晶Si存在位错台阶生长机制,并且,借助该生长机制成功地解释了初晶Si的分枝和初晶Si包裹共晶组织的形成机理.此外,观察到了共晶体包裹初晶Si生长的过程.

[1]	Chadwick G A .[J].Acta Materialia,1962,10:1.
[2]	Carter J N;Lam A;schleich D M .[J].Rev Sci,Intstrum,1992,63:3472.
[3]	Yilmaz F;Atasoy O A;Elliott R .[J].Journal of Crystal Growth,1992,118:377.
[4]	Fleminys M C.Solidification Processing[M].McGraw-Hill,New York,1974:318.
[5]	Bausere;strnk H P .[J].Journal of Crystal Growth,1984,6P:561.
[6]	Hellawell A .[J].Proceedings of the Royal Society,1970,15:3.

上一张下一张

计量

作者相关

文章评分