Cd:PbWO4晶体的生长及其性质

人工晶体学报, 1999, 28(2): 168-171. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.011

Cd:PbWO4晶体的生长及其性质

刘欣荣 ^1, , 徐衍岭 ^2, , 杨春辉 ^3, , 徐悟生 ^4, , 王锐 ^5, , 陈刚 ^6,

1.哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨,150001

2.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

6.北京玻璃研究院,北京,100062

基金项目: 中国科学院资助项目

关键词：掺镉钨酸铅晶体 , 发射光谱 , 发光效率 , 闪烁晶体 , 引上法晶体生长

Growth of Cd:PbWO4 Crystal and Its Properties

采用提拉法生长了Cd:PbWO4晶体,最佳生长工艺参数:液面上和液面下轴向温度梯度分别为40～50 ℃/cm和17～25 ℃/cm,生长速度2～3 mm/h,转速为25～30 r/min,以这一条件生长晶体可克服液流转换,避免由此引起的缺陷.Cd:PbWO4的透过率明显高于各类型未掺杂PbWO4晶体,测得Cd:PbWO4的发光效率为21.2 p.e/MeV,而高纯PbWO4为10.5 p.e/MeV,分析纯退火PbWO4为8.2 p.e/MeV,未退火PbWO4为6.7 p.e/MeV.Cd:PbWO4晶体的平均衰减时间约为10 ns.以上结果表明,Cd:PbWO4是一种良好的闪烁晶体.

参考文献

[1]	Masaaki Kobayashi;Mitsuru lshii;Yoshiyuki Usuki .Scintillation Characteristics of PbWO4 Single Crystals at Room Temperature[J].Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A:Accelerators,Spectrometers,Detectors and Associated Equipment,1993,333:429.
[2]	朱国义;何景棠;顾以藩 .钨酸锌晶体光子探测性能研究[J].高能物理与核物理,1988,12(05):577.
[3]	徐玉恒;徐崇泉;龙新滨 .ZnWO4晶体着色和消色机理的研究[J].硅酸盐学报,1980,18(04):359.

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