采用高温溶液法生长了含掺质离子Zr4+,Ga3+的单掺和双掺系列KTP型晶体.晶体生长过程中发现Ga掺入溶液后,体系更加稳定,容易生长出光学质量的晶体;而Zr掺入溶液后体系稳定性降低,晶体生长较困难.用等离子体发射光谱测定了各掺质离子在晶体中的含量,计算出掺质离子的分配系数,发现生长体系中Ga无论是在高掺入量还是低掺入量的情况下,Ga在晶体中的含量都十分稳定.测定了晶体的晶胞参数、紫外-可见-红外吸收光谱,测定的结果发现,晶胞参数均变化不大,在吸收光谱中Ga:KTP在可见光谱区有少量的光吸收,而Zr:KTP晶体是无色透明的.通过粉末倍频实验发现,Zr的掺入有助于晶体倍频转换效率的提高.通过晶体c轴向离子电导率的测试发现,Ga的掺入使c轴向电导率降低了大约3个数量级.双掺Zr和Ga的晶体是性能更为优良的掺质KTP型晶体.
参考文献
| [1] | Phillips M L F et al.Synthesis of Transition-metal-doped RbTiOAsO4 Isomorphs that Absorb Visible Light[J].Chemistry of Materials,1996,8:248. |
| [2] | Phillips M L F et al.Substitution Chemistry of Gallium for Titanium in Nonlinear Optical KTiOP4:Syntheses and Single-crystal Structure of KGaF1-δ(OH)δPO4(δ≈0.3)and KGa0.5Ge0.5(F.OH)0.5O0.5PO4[J].Chemistry of Materials,1995,7:1849. |
| [3] | Chani V I;Shimamura K et al.Substitution of Ti4+ with Nb5+-M3+(M＝Al,Cr,Ga,Fe,In)in Crystals of KTP[J].Journal of Crystal Growth,1997,173:117. |
| [4] | Isaenko L.;Tyurikov V.;Mashkovtsev R.;Gromilov S.;Merkulov A. .GROWTH AND CHARACTERIZATION OF KTI1-XZRXASO5 SINGLE CRYSTALS[J].Journal of Crystal Growth,1996(1/4):502-506. |
| [5] | Morris P A;Ferrtti A et al.Reduction of Ionic Conductivity of Flux Grown KTiOPO4 Crystals[J].Journal of Crystal Growth,1991,109:367. |
| [6] | Chani V I;Shimamura K et al.Growth of Mixed Crystal of the KTiOP4(KTP)Family[J].Journal of Crystal Growth,1997,17:472. |
| [7] | 刘向阳;蒋民华 .磷酸助熔剂中KTP晶体生长的物理化学过程[J].硅酸盐学报,1988,16(02):163. |
| [8] | 张克从;魏明 .KTP晶体生长溶液中溶质与溶剂间的交互作用[J].硅酸盐学报,1992,20(02):147. |
| [9] | Morris P A.Optical Fiber Materials and Processing[A].,1990:172. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%