在电弧法制备的过程中添加氮气或B2O3粉末,制备了氮、硼替位式掺杂C60.硼掺杂和氮掺杂C60均显示明显的半导体导电特性,且室温电导率比未掺杂C60薄膜提高1~2个量级.用共蒸发的方法制备出了硫掺杂C60薄膜,其电导率~温度曲线中存在一个过渡区,过渡区两侧表现出明显的半导体导电特性,这与掺入C60薄膜中的硫杂质的存在状态有关.其室温电导率比掺杂前提高4个量级,光致发光也明显增强.另外还报道了用离子注入和射频等离子体辅助真空沉积的方法制备掺杂C60薄膜的初步结果.
参考文献
[1] | Giannozzi P;Andreoni W .Effects of Doping on the Vibrational Properties of C60 From First Principles:K6C60[J].Physical Review Letters,1996,76:4915. |
[2] | Chen XH.;Roth S.;Zhou XJ. .RAMAN SCATTERING IN CALCIUM-DOPED C-60[J].Physical Review.B.Condensed Matter,1996(6):3971-3975. |
[3] | Yao JH.;Zhang XW.;Chen GH.;Zou YJ. .THE (111) ORIENTED GROWTH OF C-60 FILMS ON GAAS(100) SUBSTRATES[J].Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films,1997(1/2):22-25. |
[4] | 姚江宏,邹云娟,张兴旺,陈光华.GaAs(100)衬底上C60单晶膜的取向生长[J].物理学报,1997(03):481-485. |
[5] | 胡响明,汪德新.Electron Spin Resonance Characteristics of Nitrogen-Doped Fullerene[J].ACTA PHYSICA SINICA,1997(01):57. |
[6] | Yao J H;Zou Y J;He D Y;Chen G H .Electrical Conductivity of Sulfur-doped C60 Films[J].Materials Letters,1997,33:27. |
[7] | 邹云娟,严辉,陈光华,金运范,杨茹.C60薄膜的离子注入损伤研究[J].物理学报,1998(11):1923-1927. |
[8] | 严辉;邹云娟;宋雪梅 等.富勒烯-聚甲基丙烯酸甲脂复合膜的结构研究[J].功能材料,1998,16:1023. |
[9] | 硼取代富勒烯的制备及其薄膜电学性质的研究[J].兰州大学学报,1996(02):147. |
[10] | 邹云娟;宋雪梅;李朝阳.等离子体气相沉积硼掺杂C60薄膜[A].北京:中国材料研究学会,1998:125. |
[11] | Rao AM.;Hodeau JL.;Marques L.;Nunezregueiro M.;Eklund PC. .INFRARED AND RAMAN STUDIES OF PRESSURE-POLYMERIZED C-60[J].Physical Review.B.Condensed Matter,1997(7):4766-4773. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%