欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

本文由配位多面体生长习性法则分析了ZnS,锐钛矿和γ-AlO(OH)晶体的生长习性.发现ZnS晶体的各晶面的生长速度为:v(111)>v(001)=v(010)=v(100)>v();锐钛矿各晶面的生长速度为:v(010)=v(001)>v(110)>v(111);γ-AlO(OH)晶体各晶面的生长速度为:v(100)>v(001)>v(101)=v(110)>v(010).此结果与在水热条件下观察到的生长习性符合得相当好.指出了当晶体结构中配位多面体只有一种方位时,此晶体的生长习性与配位多面体的形状相类似.即配位多面体顶点指向的方向生长速度快;面指向的方向生长速度慢;棱指向的方向生长速度介于两者之间.此外,本文还指出了PBC理论在分析极性晶体的生长习性时存在的缺点.

参考文献

[1] 汪正然;陈武.矿物学[M].上海:上海科学技术出版社,1965:181.
[2] Donnay J D H;Harker D .A New of Crystal Morphology Extending the Law of Bravais[J].American Mineralogist,1937,22:446.
[3] Hartman P;Perdok W G .On the Relations between Structure and Morphology of Crystals[J].Acta Crystallographica,1955,8:525.
[4] Darey R J;Milisarljeric B;Bourne J R .Solvent Inseraction at Crystal Surfaces:The Kinetic Study of d-Resorving[J].Journal of Physical Chemistry,1998,92:2032.
[5] Hartman .The Effect of Surface Relaxation on Crystal Habit:Case of Corundum and Hematite[J].Journal of Crystal Growth,1989,96:667.
[6] 仲维卓;刘光照 等.在热液条件下晶体的生长基元与晶体形成机理[J].中国科学B辑,1994,24(04):394.
[7] Li Wenjun;Shi Erwei et al.Growth Mechanism and Growth Habit of Oxide Crystal[J].Journal of Crystal Growth,1999,203:186.
[8] 李汶军,施尔畏,仲维卓,殷之文.负离子配位多面体生长基元的理论模型与晶粒形貌[J].人工晶体学报,1999(02):117-125.
[9] Hartman.Crystal growth:an introduction[M].North-holland Publishing Company-Amsterdam:398-400.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%