在对自蔓延高温合成方法制得的AIN晶须形态研究的基础上,采用高分辩电镜等技术,对AIN晶须进行了生长机理研究,结果表明,晶须头部的小液滴显示氮化铝晶须可由VLS机制生成.光滑晶须头部的出现、过饱和度与晶须直径的关系、侧面的二次生长、生长台阶的出现,这些都说明VS机制在起作用.虽然在AIN晶须中发现层错和位错,但经过分析认为,它们都不是氮化铝晶须的生长机制.
参考文献
| [1] | Albert P Levitt.Whisker Technology[M].John Wiley and Sons,Inc,1970:60. |
| [2] | Evans C C.Whiskers[M].Mills·Boon Limited,1972:72. |
| [3] | Pablo G Caceres .Morphology and Crystallography of Aluminum Nitride Whiskers[J].Journal of the American Chemical Society,1994,77(04):977. |
| [4] | Weiguo Miao;Yin Wu;Heping Zhou .Morphologies and Growth Mechanisms of Aluminum Nitride Whiskers[J].Journal of Materials Science,1997,32(08):1969. |
| [5] | 周和平;陈浩;刘耀诚 等.升华再结晶法制备AlN晶须及其生长特性[J].无机材料学报,1998,13(04):477. |
| [6] | Drum C M;Mitcheu J W .Electron Microscopic examination of Role of Axial Dislocations in Growth of AIN Whiskers[J].Applied Physics Letters,1964,4(09):164. |
| [7] | Milewki J V;Gac F D;Petrovic J J et al.Growth of Beta-silicon Carbide Whiskers by the VLS Process[J].Journal of Materials Science,1985,20(04):1160. |
| [8] | Furuta N .结晶 Whiskersの成长结构[J].Zaiyro Kagaku,1972,9(01):2. |
| [9] | 闵乃本.晶体生长的物理基础[M].上海:上海科学技术出版社,1982:325. |
| [10] | 江国健,庄汉锐,王本民,张炯,阮美玲.自蔓延高温合成氮化铝晶须形态和生长机理研究（1）[J].人工晶体学报,1999(04):382-386. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%