首次报道了利用光学显微法和同步辐射白光X射线形貌术对Cr:KTP晶体缺陷的研究结果.光学显微法采用热磷酸作为腐蚀剂,用Opton大型显微镜反射法观察,观测到(100)面和(021)面的位错蚀坑以及(021)面的小角度晶界.用同步辐射白光X射线形貌术作出(001)面、(010)面和(100)面形貌图,从图中可明显观察到生长层、扇形界及位错线.由此得出,Cr:KTP晶体的主要缺陷是位错、生长扇形界、生长层等.
参考文献
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[5] | 张克从.Cr:KTP晶体生长机制的研究[J].人工晶体学报,1995(02):85. |
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