Bi4Ti3O12铁电薄膜X射线光电子能谱研究

人工晶体学报, 2000, 29(2): 168-170. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2000.02.015

Bi4Ti3O12铁电薄膜X射线光电子能谱研究

张寅 ^1, , 王弘 ^2, , 尚淑霞 ^3, , 王少伟 ^4, , 王民 ^5, , 齐尚奎 ^6, , 刘希玲 ^7,

1.山东教育学院,济南,250013;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

2.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

3.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

4.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

5.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

6.中国科学院兰州化学物理研究所,国家重点实验室,兰州,730000

7.山东教育学院,济南,250013

基金项目: 国家重点实验室基金教育部科学技术研究项目(Y98A15018)

关键词：铁电薄膜 , 化学溶液沉积法 , X射线光电子能谱 , Si扩散

Study on Bi4Ti3O12 Ferroelectric Thin Film Structure with XPS Spectra

本文采用化学溶液沉积(CSD)工艺在Si(100)衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜,这种薄膜的X射线衍射(XRD)结果显示其具有较好的结晶性.运用X射线光电能谱仪(XPS)对薄膜的结构进行了研究,分析结果表明,衬底中Si向镀在其上的Bi4Ti3O12膜层内扩散,影响扩散的主要因素是膜厚及退火温度.

参考文献

[1]	王弘,王民.铁电薄膜与集成铁电学[J].高技术通讯,1995(01):53-58.
[2]	Wang H;Fu L W;Shang S X .Preparation and Properties of Bi4Ti3O12 Single-crystal Thin Film by Atmospheric Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition[J].Journal of Applied Physics,1993,72(11):7963.

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Study on Bi4Ti3O12 Ferroelectric Thin Film Structure with XPS Spectra

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