影响SI-GaAs单晶抛光片均匀性的因素研究

人工晶体学报, 2000, 29(2): 176-179. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2000.02.017

影响SI-GaAs单晶抛光片均匀性的因素研究

赖占平 ^1, , 齐德格 ^2, , 高瑞良 ^3, , 杜庚娜 ^4, , 刘晏凤 ^5, , 刘建宁 ^6,

1.信息产业部电子第四十六研究所,天津,300220

2.信息产业部电子第四十六研究所,天津,300220

3.信息产业部电子第四十六研究所,天津,300220

4.信息产业部电子第四十六研究所,天津,300220

5.信息产业部电子第四十六研究所,天津,300220

6.信息产业部电子第四十六研究所,天津,300220

关键词：砷化镓 , 单晶 , 均匀性 , 抛光片 , 缺陷

Study on the Homogeneities of SI-GaAs Polished Wafers

高度PL mapping均匀的SI-GaAs单晶抛光片是制作大功率微波器件和大规模超高速数字集成电路的理想衬底.本工作对影响SI-GaAs单晶抛光片均匀性的各种因素进行了研究.发现位错密度对晶体的宏观电阻率均匀性和微观均匀性以及PL mapping均匀性都有一定的影响;而晶体的AB-EPD和抛光工艺对PL mapping均匀性影响更大,AB-EPD与热处理工艺有关.对实验现象进行了解释.

参考文献

[1]	吴剑萍,夏冠群,赵建龙,刘汝萍.GaAs IC阈值电压均匀性的计算机模拟分析[J].电子学报,1999(05):62-65.
[2]	Miyazawa S et al.Proximity Effect of Dislocation on GaAs MESFET Threshold Voltage[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1986,33(02):227.
[3]	Kaminaka K.Vth Control in GaAs by Substrate Parameters[A].London:Institute of Physics Publishing,1992:307.
[4]	李光平.PL mapping在SI-GaAs材料与器件性能关系研究中的应用[J].现代仪器,1999:37.
[5]	Grant I;Rumsby D.Structural and Electrical Characteristics of Undoped LEC SI-GaAs Crystals[A].Cheshire:Shiva Publishing,1982:98.

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