助熔剂法生长的PLZST单晶的缺陷研究

人工晶体学报, 2001, 30(2): 211-215. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2001.02.019

助熔剂法生长的PLZST单晶的缺陷研究

严清峰 ^1, , 宋锋兵 ^2, , 张一玲 ^3, , 李强 ^4,

1.武汉理工大学

2.武汉理工大学

3.武汉理工大学

4.武汉理工大学

基金项目: 国家自然科学基金(59972025)

关键词： PLZST单晶 , 晶体生长 , 助熔剂法 , 缺陷

Research on the Defects of PLZST Single Crystal Grown by Flux Method

本文介绍了助熔剂缓慢降温自发成核法生长的稀土掺杂锆钛锡酸铅镧(PLZST)晶体中出现的几种缺陷：包裹体、开裂、位错、枝晶，分析了这些缺陷的形成机理并提出了减少和消除这些缺陷的一些措施。

The defects such as inclusion,splitting,dislocation and dendrite in the PbxLa1-x(Zry Tiz Sn1-y-z)O3(PLZST) single crystal grown from PbO-PbF2 flux by the slow cooling self-seeding technique were discussed in this paper.The forming mechanism of these defects were analyzed and some measures to eliminate the defects were proposed.

参考文献

[1]	Pan W Y et al.Large Displacement Transducers Based on Electric Field Forced Phase Transitions in the Tetragonal (Pb0.97La0.02)(Ti,Zr,Sn)O3 Family of Ceramics[J].Journal of Applied Physics,1989,66(12):6014.
[2]	张克从.晶体生长[M].北京:科学出版社,1981:326-327.
[3]	刘鹏,杨同青,王志宏,徐卓,张良莹,姚熹.PLZST反铁电陶瓷电场诱导相变与相稳定性的研究[J].物理学报,1998(10):1727-1733.
[4]	姚连增.晶体生长基础[M].合肥:中国科学技术大学出版社,1995:247-250.

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