电光晶体硒酸氢铷(RHSe)的生长动力学

人工晶体学报, 2001, 30(4): 358-363. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2001.04.007

电光晶体硒酸氢铷(RHSe)的生长动力学

胡晓琳 ^1, , 陈建中 ^2, , 庄乃锋 ^3, , 兰建明 ^4, , 赵斌 ^5,

1.福州大学化学化工学院化学系

2.福州大学化学化工学院化学系

3.福州大学化学化工学院化学系

4.福州大学化学化工学院化学系

5.福州大学化学化工学院化学系

基金项目: 福建省自然科学基金(B 97005)

关键词：电光晶体 , 生长动力学 , 硒酸氢铷 , 多二维成核生长

Growth Mechanism of Rubidium Hydrogen Selenate Crystal

本文采用动态循环观察法测量了RHSe晶体在水溶液中不同过饱和度下主要显露晶面的生长速率.结果表明,RHSe晶体主要显露晶面的生长机制是多二维成核生长机制,在饱和点为38.00℃的溶液中,RHSe晶体的{111}和{101}晶面的临界过饱和度分别为1.01%和1.16%.实验过程中还发现,当过饱和度大于1.76%时,晶体生长速率太快而出现宏观缺陷,因而在生长RHSe单晶时,过饱和度应控制在1.76%以下.

参考文献

[1]	Salvestrini J P;Fontant M D;Aillerie M et al.New Material with Strong Electro-optic Effect:Rubidium Hydrogen Selenate(RbHSeO4)[J].Applied Physics Letters,1994,64(15):1920.
[2]	张克从;王希敏.非线性光学晶体材料科学[M].北京:科学出版社,1996:45-46.
[3]	Waskowska A;Olejnik S;Lukaszewicz K et al.Rubidium Hydrogen Selenate[J].Acta Crystallographica,1978,B34:3344-3346.
[4]	Malkin A I;Malkin A A;Alexeev I V .Growth of Dipyramidal Face of Dislocation-Free ADP Crystals:Free Energy of Steps[J].Journal of Crystal Growth,1989,97:765-769.
[5]	Nai-ben MING;Tsukamoto K;Sunawa .Stacking Faults as Self-perpetuating Step Sources[J].Journal of Crystal Growth,1988,91:11-19.
[6]	Chen JZ.;Lin SK.;Guo FY.;Hu XL.;Zhuang NF. .Theoretical morphology and growth habit of rubidium hydrogen selenate crystals[J].Journal of Crystal Growth,1999(4):584-589.
[7]	闵乃本.晶体生长物理基础[M].上海:上海科学技术出版社,1982:396.

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电光晶体硒酸氢铷(RHSe)的生长动力学

Growth Mechanism of Rubidium Hydrogen Selenate Crystal

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