本文利用碲镉汞膺二元固液T-X相图对碲镉汞晶体生长方法进行了分类研究;分析了影响碲镉汞晶体组分及其均匀性的因素,提出了存在的问题和改善的措施;认为在特定组分的固相线温度(相图中的B点)生长碲镉汞晶体是一种比较有效的方法,并报道了采用双相复合维持液相成份生长大直径40mm碲镉汞晶体组分控制研究的结果(在S≈12cm2的晶片面积上,x＝0.218±0.003).
参考文献
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| [2] | Willardson R K.[J].Semiconductors and Semimetals,1981:18. |
| [3] | Steininger .HgCdTe Phase Diagram Determination by High Pressure Reflux[J].Journal of Electronic Materials,1976,5(03):299. |
| [4] | 刘克岳 等.碲溶剂垂直区熔法生长20mm HgCdTe晶体组分控制研究[J].激光与红外工程,1996,25(06):47. |
| [5] | 刘克岳 等.双相复合生长大直径(40mm) HgCdTe晶体[J].半导体杂志,1998,23(03):15. |
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