YVO4晶体缺陷分析

人工晶体学报, 2002, 31(1): 14-17. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2002.01.004

YVO4晶体缺陷分析

邹宇琦 ^1, , 李新军 ^2, , 徐军 ^3, , 干福熹 ^4, , 田玉莲 ^5, , 黄万霞 ^6,

1.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

2.上海大学,上海201800

3.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

4.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

5.中国科学院北京高能物理研究所国家同步辐射实验室,北京,100039

6.中国科学院北京高能物理研究所国家同步辐射实验室,北京,100039

基金项目: 国家自然科学基金(60047003)

关键词： YVO4晶体 , 缺陷 , 同步辐射白光X射线形貌术 , 电子探针仪

Study on Defects of YVO4 Crystal

运用同步辐射白光X射线形貌术分析了YVO4的结构和缺陷行为,也观测了YVO4晶体(001)、(100)面的缺陷.发现在(001)面出现应力生长区、沿[100]方向的位错线以及晶体中镶嵌结构.运用白光形貌术拍摄到的劳埃斑,证明晶体为四方晶系.确定了小角晶界是引起多晶的主要原因.采用电子探针仪分析了散射颗粒形成是由杂质铁和铝的引入造成.

参考文献

[1]	Erdei s .Growth of Oxygen Dificiency-free YVO4 Single Crystal by Top-seeded Solution Growth Technique[J].Journal of Crystal Growth,1993,134(01):1-13.
[2]	Conner J R O .Unusual Crystal-field Energy Level Efficient Leser Properties of YVO4∶Nd[J].O Appl Phys Lett,1966,9(11):407.
[3]	Yaney P P;Deshazer L G .Spectroscopic Studies and Analysis of the Laser States of Nd3+ in YVO4[J].Journal of the Optical Society of America,1976,6(12):1405.

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