组分挥发对CBO晶体生长影响研究

1.中国科学技术大学化学系,合肥,230026

2.中国科学院北京人工晶体研究发展中心,北京,100080

3.中国科学院北京人工晶体研究发展中心,北京,100080

4.中国科学院北京人工晶体研究发展中心,北京,100080

Study on the Influence of Volatility on the Growth of CBO Crystal

非线性光学晶体CsB3O5(简称CBO)在生长过程中,原料组分的挥发影响了单晶的生长.本文利用XRD,DTA等手段对挥发物的成分进行表征,结果表明挥发物的主要成分是Cs2O,并探讨了原料组分的挥发对结晶状况的影响,以期探索和优化晶体生长工艺.

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