下降法生长Bi4Ge3O12大尺寸单晶中散射芯的形成和消除

人工晶体学报, 2002, 31(2): 135-139. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2002.02.014

下降法生长Bi4Ge3O12大尺寸单晶中散射芯的形成和消除

肖海斌 ^1, , 胡关钦 ^2, , 王绍华 ^3, , 徐力 ^4,

1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800

2.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800

3.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800

4.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800

关键词： Bi4Ge3O12晶体 , Bridgman法 , 散射芯 , 宏观缺陷

Formation and Elimination of the Scattering Inclusions in Bi4Ge3O12 Crystals Grown by Bridgman Method

本文报道了以Bi2O3和GeO2粉末为原料,采用改进的Bridgman法生长的大尺寸单晶中的散射芯现象.借助于显微镜和电子探针对散射芯进行了研究,发现散射芯主要是由铂金微颗粒组成.分析了散射芯产生的原因,并提出了消除这种宏观缺陷的一些方法.

参考文献

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