高温超导及GaN衬底材料(La,Sr)(Al,Ta)O3晶体的生长

1.中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031；合肥科晶材料技术有限公司,合肥,230031

2.中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031；合肥科晶材料技术有限公司,合肥,230031

3.中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031；合肥科晶材料技术有限公司,合肥,230031

4.中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031；合肥科晶材料技术有限公司,合肥,230031

5.合肥科晶材料技术有限公司,合肥,230031

6.合肥科晶材料技术有限公司,合肥,230031

7.中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031

Growth of (La,Sr)(Al,Ta)O3 Single Crystal as Substrates for High-Tc Superconductors and GaN Epitaxial Growth

用提拉法生长了高质量、大尺寸、具有混合钙钛矿结构的(La,Sr)(Al,Ta)O3晶体(LSAT),晶体尺寸达55mm×50mm.讨论了晶体生长有关工艺,并对晶体的完整性进行了初步研究.

[1]	Tidrow S.C.;Tauber A.;Wilber W.D.;Lareau R.T.;Brandle C.D.;Berkstresser G.W.;Ven Graitis A.J.;Potrepka D.M.;Budnick J.I.;Wu J.Z. .New substrates for HTSC microwave devices[J].IEEE Transactions on Applied Superconductivity: A Publication of the IEEE Superconductivity Committee,1997(2):1766-1768.
[2]	Chakoumakos BC.;Urbanik M.;Luine J.;Schlom DG. .Thermal expansion of LaAlO3 and (La,Sr)(Al,Ta)O-3, substrate materials for superconducting thin-film device applications[J].Journal of Applied Physics,1998(4):1979-1982.
[3]	Shimamura K.;Takeda H.;Kochurikhin VV.;Fukuda T.;Tabata H. .Growth and characterization of (La,Sr)(Al,Ta)O-3 single crystals as substrates for GaN epitaxial growth[J].Journal of Crystal Growth,1998(2):209-213.
[4]	Ohta J;Fujioka H;Sumiya M et al.Epitaxial Growth of AlN on(La,Sr)(Al,Ta)O3 Substrate by Laser MBE[J].Journal of Crystal Growth,2001,225:73-78.
[5]	Materika D;Kohler H;Laudan H et al.Mixed-perovskite Substrates for High-Tc Superconductors[J].Journal of Crystal Growth,1991,109:447-456.

上一张下一张

计量

作者相关

文章评分