大直径FZSi中的微缺陷研究

人工晶体学报, 2002, 31(6): 595-598. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2002.06.017

大直径FZSi中的微缺陷研究

张维连 ^1, , 赵红生 ^2, , 孙军生 ^3, , 张恩怀 ^4, , 陈洪建 ^5, , 高树良 ^6, , 刘涛 ^7, , 胡元庆 ^8, , 李颖辉 ^9, , 郭丽华 ^10,

1.河北工业大学半导体材料研究所,天津,300130

2.河北工业大学半导体材料研究所,天津,300130

3.河北工业大学半导体材料研究所,天津,300130

4.河北工业大学半导体材料研究所,天津,300130

5.河北工业大学半导体材料研究所,天津,300130

6.天津半导体材料厂,天津,300130

7.天津半导体材料厂,天津,300130

8.天津半导体材料厂,天津,300130

9.天津半导体材料厂,天津,300130

10.天津半导体材料厂,天津,300130

基金项目: 河北省自然科学基金(101059)

关键词： FZSi , 旋涡缺陷 , 热对流 , 点缺陷

Study on the Micro-defects in Large Size FZSi

经过化学-机械抛光后,用常规的检验旋涡缺陷的方法没有观察到旋涡缺陷的FZSi片,用高温热氧化法有时则可以观察到明显的旋涡状分布的条纹图形.使用FTIR、XPS、 SEM能谱分析等手段的测量结果表明,这种旋涡状分布的图形与晶体中的掺杂剂(磷、硼)和杂质氧、碳以及重金属杂质没有明显的依赖关系,它是硅中点缺陷在晶体径向截面上呈不均匀条纹状分布的结果.本文对大直径FZSi中的旋涡缺陷的形成机理和消除方法进行了初步的探讨.

参考文献

[1]	Raming G;Muiznieks A;Muhlbauer A .[J].Journal of Crystal Growth,2001,230:108.
[2]	Walker J S;Croll A;Szofran F R .[J].Journal of Crystal Growth,2001,223:73.
[3]	佘思明.半导体硅材料学[M].长沙:中南大学出版社,1992:494.
[4]	Larsen T L;Jensen L;Ludge A;Riemann H,Lemke H .[J].Journal of Crystal Growth,2001,230:304.

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Study on the Micro-defects in Large Size FZSi

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