采用CZ法生长了30×30mm3的Li2B4O7单晶体.对晶体的压电性能进行了研究,弹性系数的交叉分量少,数值相对较小;在(001)面内有较高的声波传播速度,其变化范围为6500～7080m/s,在[001]方向有较低的声波传播速度,大约为5160m/s;而压电性能表明在不同方向的机电耦合系数均比石英晶体相应参数大得多.对晶体谐振器和压控震荡器的性能进行了研究,发现其机电耦合系数近似石英的十倍,很适合用来制作宽频器件.晶体谐振器的频率温度特性为抛物线型,其转变温度在室温,在-10℃～55℃温度范围内频率变化为3×10-4,具有良好的频谱响应,其寄生频率高出主振180kHz,衰减大于30dB,完全能满足器件使用要求.晶体滤波器3dB带宽的相对宽为1%,而石英仅为0.4%.
参考文献
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| [5] | 刘景和.Li2B4O7多晶体制备及单晶生长[A].,1989 |
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