在较低氧分压的保护气氛中用提拉法(CZ法)生长YVO4晶体,采用自行设计的气压计,精密调节炉内的氧、氮比例,有效防止了晶体生长中的过度缺氧,生长出33mm×31mm(等径)YVO4晶体.设计了生长YVO4晶体最佳工艺条件:转速5～10r/min,拉速:2～6mm/h,生长周期:24h,液面上8mm温度梯度2.875℃/mm.用偏光显微镜对YVO4晶体的裂纹、散射颗粒、包裹物、偏心生长等缺陷进行观察,认为它们的成因主要是生长速率过快,生长环境中湿度大及晶体中存在分解和挥发性物质等.
参考文献
| [1] | Broch E Z .[J].Physical Chemistry,1933,20:345. |
| [2] | 诸月梅,林博,熊建华,滕硕.双折射YVO4晶体原料的合成及最佳制备工艺的探讨[J].人工晶体学报,2001(01):72-74. |
| [3] | Lambropoulos J C et al.[J].Journal of Crystal Grwoth,1998,92:3901. |
| [4] | 唐鼎元.YVO4晶体中散射颗粒成因的探讨[J].人工晶体学报,1997(03):378. |
| [5] | Morrison A D.[J].Journal of Materials Science,1973(08):1666. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%