合成GaP纳米晶过程的关键影响因素

人工晶体学报, 2003, 32(3): 224-227. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2003.03.009

合成GaP纳米晶过程的关键影响因素

刘振刚 ^1, , 于美燕 ^2, , 白玉俊 ^3, , 郝霄鹏 ^4, , 王琪珑 ^5, , 于乃森 ^6, , 崔得良 ^7,

1.山东大学化学与化工学院,济南,250100

2.山东大学化学与化工学院,济南,250100

3.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

4.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

5.山东大学化学与化工学院,济南,250100

6.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

7.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

基金项目: 国家自然科学基金(90101016,90206043) 教育部高校骨干教师资助计划国家高技术研究发展计划(863计划) 山东省科技攻关项目

关键词：磷化镓 , 纳米晶 , 纳米棒 , X射线衍射 , 关键因素

Key Factors in Preparation of GaP Nanocrystals

本文系统研究了在有机溶剂中常压合成GaP纳米晶过程中反应温度、反应时间、反应体系的均匀性和原料的比例等关键影响因素.GaP纳米晶的产率、形貌以及平均粒度随着这些关键因素的改变有很大的不同.制备的GaP纳米晶用X射线衍射仪和透射电镜进行了表征.发现了最优化的合成工艺条件,实现了GaP纳米晶的高产率(达85%)制备,而且形貌和粒度可以根据需要进行调控.

参考文献

[1]	Xie Y;Qian Y T et al.A Benzenethermal Synthetic Route to Nanocrystalline GaN[J].Science,1996,272:1926.
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[3]	Mii O I;Sprague J P et al.Synthesis and Characterization of InP,GaP,and GaInP2 Quantum Dots[J].Journal of Physical Chemistry,1995,99:7754.
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[6]	潘教青,崔得良,黄柏标,周海龙,蒋民华.磷化物半导体纳米材料的合成和表面性质[J].中国科学A辑,2001(09):823-827.
[7]	JCPDS File No.5-0601[Z].
[8]	JCPDS File No.32-0397[Z].
[9]	张立德;牟季美.纳米材料和纳米结构[M].北京:北京科学技术出版社,2001:148.
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