Zn∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤性能的研究

人工晶体学报, 2003, 32(3): 247-251. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2003.03.014

Zn∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤性能的研究

周玉祥 ^1, , 周德瑞 ^2, , 徐朝鹏 ^3, , 王锐 ^4,

1.哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学光电信息中心,哈尔滨,150001

2.哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨,150001

3.哈尔滨工业大学光电信息中心,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学电子科学与技术系,哈尔滨,150001

4.哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨,150001

基金项目: 黑龙江省科学技术计划(A01-03) 国家高技术研究发展计划(863计划)(863 2001AA31304) 国家重点基础研究发展计划(973计划)(973 G19990330)

关键词： Zn∶In∶LiNbO3晶体 , 光损伤 , 倍频性能

Study on Photodamage Resistance Ability of LiNbO3 Crystals Co-doped with Zn and In Ions

在LiNbO3中掺进ZnO和In2O3以Czochralski技术生长Zn∶In∶LiNbO3晶体.采用光斑畸变法测试Zn∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤能力.Zn∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体提高二个数量级.测试晶体的红外光谱,Zn∶In∶LiNbO3晶体吸收峰的位置相对LiNbO3晶体发生紫移,且随着Zn2+和In3+浓度增加紫移程度增加.晶体的倍频性能(相位匹配温度和倍频转换效率)研究表明:Zn∶In∶LiNbO3晶体相位匹配温度在室温附近.并研究了Zn∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤机理和OH-吸收峰紫移的机理.

参考文献

[1]	Zhong Giguo;Jian Jin;Wu Zhongkang.11th International Quantum Electronics Conference[C].IEEE Cat.No.80 CH 1561-0,New York,1980:631.
[2]	VOLK T R;Pryalkin V I;Rubinina N M .Optical-damage Resistant LiNbO3∶Zn crystal[J].OPTICS LETTERS,1990,15(13):996.
[3]	VOLK T R;Rubinina N M .A New Optical Damage Resistant Impurity in Lithium Niobate Crystal:Indium[J].Ferroelectrics Letters,1992,14:37.
[4]	李铭华;赵业权;孙光耀 .掺钕铌酸锂晶体光折变效应的研究[J].中国稀土学报,1992,10(02):142-146.

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