根据CdZnTe等Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶体生长的基本原理和工艺要求,设计制造了坩埚加速旋转-垂直下降法(ACRT-VBM)晶体生长系统.本文介绍了该系统设计所考虑的基本问题和元器件的选择,给出了系统的基本结构.晶体生长炉的温度控制精度为±1℃,系统的速度均匀度为±0.0015mm/h.该系统的性能指标满足生长直径30mm的CdZnTe晶体的要求.
参考文献
| [1] | Ueda R;Mullin J B.Crystal Growth and Characterization[M].Amsterdam: North-Holland Publishing Co,1975 |
| [2] | Capper P;Harris J E;Nicholson D et al.An Improved for the Bridgman Growth of Crystals with Toxic and/or Highly Volatile Component[J].Journal of Crystal Growth,1979,46:575. |
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