以高性价比颗粒硅带为衬底多晶硅薄膜的二次引铝低温制备法

人工晶体学报, 2003, 32(4): 361-365. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2003.04.016

以高性价比颗粒硅带为衬底多晶硅薄膜的二次引铝低温制备法

邱春文 ^1, , 石旺舟 ^2, , 王晓晶 ^3, , 周燕 ^4,

1.汕头大学物理系,汕头,515063

2.华东师范大学物理系,上海,200000

3.中国科学院广州能源研究所太阳能利用实验室,广州,510070

4.汕头大学物理系,汕头,515063

关键词：多晶硅带衬底 , 多晶硅薄膜 , 等离子体化学气相沉积法 , 二次引铝 , 低温制备

Preparation of Polycrystalline Silicon Thin Films on Cheap Silicon Sheets from Powder Substrate by PECVD and Introducing Aluminum Twice

本文报道了在廉价的颗粒硅带上用PECVD法并两次引入铝的工艺制备多晶硅薄膜.第一次引入铝是为了去除薄膜上过多的杂质;第二次引入铝是为了实现低温诱导结晶.通过对薄膜样品的拉曼谱和X射线衍射(XRD)谱分析,我们认为金属低温诱导结晶成功与否跟诱导前薄膜的结构密切相关.采用该工艺成功地制备了结晶度92%左右、可应用于太阳能电池的高纯优质多晶硅薄膜.

参考文献

[1]	Hovel H .Photovoltaic Materials and Devices for Terrestrial Solar Energy Applications[J].Solar Energy Materials and Solar Cells,1980,2:277.
[2]	Beckers I.;Pilz W.;Fuhs W.;Nickel NH. .Influence of hydrogen on the structural order of microcrystalline silicon during the growth process[J].Journal of Non-Crystalline Solids: A Journal Devoted to Oxide, Halide, Chalcogenide and Metallic Glasses, Amorphous Semiconductors, Non-Crystalline Films, Glass-Ceramics and Glassy Composites,1998(Pt.B):847-851.
[3]	Kaneko T;Wakagi M .Change in Crystalline Morphologies of Polycrystalline Silicon Films Prepared by Radio-frequency Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition Using SiF4+H2 Gas Mixture at 350℃[J].Applied Physics Letters,1994,64:1865.
[4]	唐伟忠.薄膜材料制备原理、技术及应用[M].北京:冶金工业出版社,1998:33.
[5]	克鲁格 H P;亚历山大 L E.X射线衍射技术[M].北京:冶金工业出版社,1986:442.

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Preparation of Polycrystalline Silicon Thin Films on Cheap Silicon Sheets from Powder Substrate by PECVD and Introducing Aluminum Twice

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