温梯法白宝石晶体的缺陷研究

人工晶体学报, 2003, 32(5): 491-494. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2003.05.018

温梯法白宝石晶体的缺陷研究

李抒智 ^1, , 周圣明 ^2, , 司继良 ^3, , 周国清 ^4, , 董永军 ^5, , 徐军 ^6,

1.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

2.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

3.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

4.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

5.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

6.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

关键词：白宝石 , 温梯法 , 位错 , 化学腐蚀 , 包裹物

Defect Study of Sapphire Crystal Grown by Temperature Gradient Technique

采用导向温梯法(TGT)生长出[0001]方向直径为76mm的白宝石晶体.利用扫描电子显微镜(SEM)观察晶体(0001)面的腐蚀坑形态,并对晶体内部的包裹物进行了能谱(EDS)分析.白宝石晶体中的生长缺陷主要为位错和包裹体等.Al2O3晶体(0001)面的位错腐蚀坑呈六角形,并且有台阶状结构.分析了(0001)面内的位错类型.确定了TGT法生长的白宝石内部的包裹物的主要成分为碳.

参考文献

[1]	张乐.白宝石单晶[M].天津:天津科学技术出版社,1982:2.
[2]	周国清,徐科,邓佩珍,徐军,周永宗,干福熹,朱人元.温梯法生长φ110 mm×80 mm蓝宝石晶体位错的化学腐蚀形貌分析[J].硅酸盐学报,1999(06):727-733.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

温梯法白宝石晶体的缺陷研究

Defect Study of Sapphire Crystal Grown by Temperature Gradient Technique

参考文献