基于电沉积过渡层沉积CVD金刚石薄膜的研究

人工晶体学报, 2004, 33(1): 13-17. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.003

基于电沉积过渡层沉积CVD金刚石薄膜的研究

卢文壮 ^1, , 左敦稳 ^2, , 王珉 ^3, , 黎向锋 ^4, , 徐锋 ^5,

1.南京航空航天大学机电学院,南京,210016

2.南京航空航天大学机电学院,南京,210016

3.南京航空航天大学机电学院,南京,210016

4.南京航空航天大学机电学院,南京,210016

5.南京航空航天大学机电学院,南京,210016

基金项目: 国家自然科学基金(59975045,50075039)

关键词： CVD金刚石膜 , 电沉积 , 过渡层 , 硬质合金 , 结合强度

Deposition of CVD Diamond Thin film on Cemented Carbide Substrate by Using Electro-deposited Interlayer

在硬质合金的Cu、Ni、Cr电沉积过渡层上采用热丝CVD法沉积出金刚石薄膜.利用SEM和Raman对金刚石薄膜进行了研究,对影响膜基结合强度的因素进行了分析,利用压痕法对金刚石薄膜与基体的结合强度进行了检验.结果表明,在Cr过渡层上沉积的金刚石薄膜的质量和膜基结合性能较好,优于在Cu、Ni过渡层上沉积的金刚石薄膜的质量和膜基结合性能.

参考文献

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Deposition of CVD Diamond Thin film on Cemented Carbide Substrate by Using Electro-deposited Interlayer

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