温梯法生长CaF2晶体中包裹物的研究

人工晶体学报, 2004, 33(1): 31-34. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.007

温梯法生长CaF2晶体中包裹物的研究

董永军 ^1, , 周国清 ^2, , 苏良碧 ^3, , 杨卫桥 ^4, , 徐军 ^5,

1.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

2.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

3.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

4.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

5.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

基金项目: 上海市科技发展基金(022261053)

关键词：氟化钙晶体 , 温度梯度法 , 包裹物

Study of the Inclusion of Calcium Fluoride Crystals Grown by TGT

本文对温度梯度法生长的氟化钙(CaF2)晶体中的包裹物进行了研究,用光学显微镜和SEM观察了包裹物的形貌,对晶体中的包裹物和透明部分作了微区EDX成分分析,对包裹物所含的杂质进行了解释,提出了减小或消除包裹物的措施.分析结果表明:包裹物的主要成分是碳和氧,碳来源于石墨坩埚和石墨发热体,而杂质氧则来源于原料中的含氧化合物和生长过程气氛中氧的进入.

参考文献

[1]	Chen X M;Suguru Jingun;Suzuka nishimura;Yasunao Uyama, Kazutaka Terushima .Density and Surface Tension of Molten Calcium Fluoride.J[J].Journal of Crystal Growth,2002,240:445-453.
[2]	Klocek L.Handbook of Infrared Materials[M].Marcel Dekker,New York,1991:231.
[3]	Sakuma et al.[P].US Patent: 6332922
[4]	Mizugaki et al.[P].US 6123764,2000.
[5]	Reichling M;Huisiga M;Gogoll S;Barth C .Degradation of the CaF2 (111) Surface by Air Exposure[J].Journal of Crystal Growth,2001,183:264-269.
[6]	Pandelisev K A.Purification and Crystal Growth of CaF2 Having Superior Properties[A].May 14-17,2001,Dana Point,Calif,2001
[7]	Pandelisev K A;Motakef S .157nm SEMATECH Technical Date Review[Z].@
[8]	TETSUO Yonezawa;Kentaro Matsuo;Hideo Tamada;Yoji Kawamoto .Behaviors of Trace. Amounts of Metal-fluoride Impurities in CaF2 Single Crystal Grown by Stockbarger Method[J].Journal of Crystal Growth,2002,236:281-289.

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