ZnS晶体的化学气相沉积生长

人工晶体学报, 2004, 33(1): 92-95. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.020

ZnS晶体的化学气相沉积生长

杨曜源 ^1, , 李卫 ^2, , 张力强 ^3, , 蔡以超 ^4, , 王向阳 ^5, , 肖红涛 ^6, , 田鸿昌 ^7, , 东艳萍 ^8, , 方珍意 ^9, , 郝永亮 ^10,

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关键词：化学气相沉积法 , 硫化锌 , 红外材料

Growth of ZnS Crystals by CVD Technique

本文报道了用化学气相沉积(CVD)法生长ZnS透明多晶体的实验结果,对生长的晶体的物理化学性能进行了测试,讨论了化学气相沉积工艺中影响ZnS晶体质量的因素.结果表明:选用固体硫作原料,用化学气相沉积方法,可以沉积出透明ZnS多晶体;它的透过性能极其优异,在6.2μm处无吸收峰,在中、长波红外透过率可达70%以上.

参考文献

[1]	张青莲.无机化学丛书[M].北京:科学出版社,1990:450-510.
[2]	邓意达,贺跃辉,唐建成,贾宝平,黄伯云,刘业翔.ZnS光电材料制备技术的研究进展[J].材料导报,2002(05):49-51.
[3]	王和明,蔡以超,杨曜源,东燕萍,王永杰,闫泽武.CVD方法生长平面和曲面块状多晶硫化锌[J].人工晶体学报,2000(01):30-33.
[4]	Savage J A.Infrared Optical Materials and Their Antireflection Coating[M].Adam hilger Ltd,1985:72.
[5]	Jitendras;Goela Raymond L .Jitendras,Goela,Raymond L.Taylor[J].Journal of Materials Science,1988,234:331-4339.

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