CdZnTe晶体的缺陷能级分析

人工晶体学报, 2004, 33(2): 189-191. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.014

CdZnTe晶体的缺陷能级分析

韦永林 ^1, , 朱世富 ^2, , 赵北君 ^3, , 王瑞林 ^4, , 高德友 ^5, , 魏昭荣 ^6, , 李含东 ^7, , 唐世红 ^8,

1.四川大学,材料科学系,成都,610064

2.四川大学,材料科学系,成都,610064

3.四川大学,材料科学系,成都,610064

4.四川大学,材料科学系,成都,610064

5.四川大学,材料科学系,成都,610064

6.四川大学,材料科学系,成都,610064

7.四川大学,材料科学系,成都,610064

8.四川大学,材料科学系,成都,610064

基金项目: 高等学校博士学科点专项科研项目国家自然科学基金(60276030) 四川省科技攻关项目(02GG009-010)

关键词： CZT单晶体 , I-T特性曲线 , 激活能 , 探测器 , 缺陷能级

Analysis of the Defect Energy Level of CdZnTe Single Crystal

通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻Cd0.8Zn0.2Te (CZT)单晶体的I-T特性曲线,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺陷,结果得到晶体中有一个由镉空位引起的电子陷阱,其深度为0.539eV.由于俘获能级有较高的激活能,在常温下,价带上的载流子不会被激发,所以该晶体适用于制作室温核辐射探测器.另外还研究了CZT晶体在室温下的I-V特性,测得采用该方法生长的CZT单晶体电阻率高达5.0×1010Ω*cm,制作的核辐射探测器在室温下获得了比较好的241Am 59.5keV能谱.

参考文献

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